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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN34N100
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN34N100 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN34N100
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN34N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN34N100.pdf
vorrätig: 5410

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Spezifikation

IXFN34N100 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN34N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN34N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 700W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN34N100.

Produkteigenschaften IXFN34N100 IXFN360N10T IXFN32N120P IXFN36N60
Artikelnummer IXFN34N100 IXFN360N10T IXFN32N120P IXFN36N60
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 700W (Tc) 830W (Tc) 1000W (Tc) 520W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc) 360A (Tc) 32A (Tc) 36A (Tc)
Grundproduktnummer IXFN34 IXFN360 IXFN32 IXFN36
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 100 V 1200 V 600 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 4.5V @ 250µA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 8mA
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 36000 pF @ 25 V 21000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 505 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 325 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 500mA, 10V 2.6mOhm @ 180A, 10V 310mOhm @ 500mA, 10V 180mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

IXFN34N100 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN34N100 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN34N100 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFN34N100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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