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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN30N120P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN30N120P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN30N120P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN30N120P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN30N120P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 509

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Spezifikation

IXFN30N120P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN30N120P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN30N120P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN30N120P.

Produkteigenschaften IXFN30N120P IXFN32N60 IXFN340N06 IXFN34N100
Artikelnummer IXFN30N120P IXFN32N60 IXFN340N06 IXFN34N100
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 32A (Tc) 340A (Tc) 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 890W (Tc) 520AW (Tc) 700W (Tc) 700W (Tc)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V 325 nC @ 10 V 600 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V 250mOhm @ 500mA, 10V 3mOhm @ 100A, 10V 280mOhm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 600 V 60 V 1000 V
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 16800 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IXFN30 IXFN32 IXFN340 IXFN34

IXFN30N120P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN30N120P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN30N120P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN30N120P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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