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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN32N60
IXYS
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IXFN32N60 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN32N60
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN32N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXF(K,N)3(2,6)N60.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4570

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Spezifikation

IXFN32N60 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN32N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN32N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 520AW (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 325 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN32N60.

Produkteigenschaften IXFN32N60 IXFN34N80 IXFN30N110P IXFN360N15T2
Artikelnummer IXFN32N60 IXFN34N80 IXFN30N110P IXFN360N15T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 520AW (Tc) 600W (Tc) 695W (Tc) 1070W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 800 V 1100 V 150 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 47500 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 5V @ 8mA
Grundproduktnummer IXFN32 IXFN34 IXFN30 IXFN360
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 325 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 715 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 500mA, 10V 240mOhm @ 500mA, 10V 360mOhm @ 15A, 10V 4mOhm @ 60A, 10V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) 34A (Tc) 25A (Tc) 310A (Tc)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, TrenchT2™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V

IXFN32N60 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN32N60 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN32N60 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,N)3(2,6)N60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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