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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN38N100Q2
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN38N100Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN38N100Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN38N100Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN38N100Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 881

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Spezifikation

IXFN38N100Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN38N100Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN38N100Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN38  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN38N100Q2.

Produkteigenschaften IXFN38N100Q2 IXFN39N90 IXFN36N100 IXFN38N100P
Artikelnummer IXFN38N100Q2 IXFN39N90 IXFN36N100 IXFN38N100P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 900 V 1000 V 1000 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 39A (Tc) 36A (Tc) 38A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Grundproduktnummer IXFN38 IXFN39 IXFN36 IXFN38
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 19A, 10V 220mOhm @ 500mA, 10V 240mOhm @ 500mA, 10V 210mOhm @ 19A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 890W (Tc) 694W (Tc) 700W (Tc) 1000W (Tc)

IXFN38N100Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN38N100Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN38N100Q2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN38N100Q2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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