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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN38N80Q2
IXYS
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IXFN38N80Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN38N80Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN38N80Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4000

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Spezifikation

IXFN38N80Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN38N80Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN38N80Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 735W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN38  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN38N80Q2.

Produkteigenschaften IXFN38N80Q2 IXFN40N90P IXFN38N100Q2 IXFN36N60
Artikelnummer IXFN38N80Q2 IXFN40N90P IXFN38N100Q2 IXFN36N60
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 33A (Tc) 38A (Tc) 36A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V 210mOhm @ 20A, 10V 250mOhm @ 19A, 10V 180mOhm @ 500mA, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Grundproduktnummer IXFN38 IXFN40 IXFN38 IXFN36
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 735W (Tc) 695W (Tc) 890W (Tc) 520W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V 14000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 325 nC @ 10 V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 900 V 1000 V 600 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B

IXFN38N80Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN38N80Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN38N80Q2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,N,X)38N80Q2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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