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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN39N90
IXYS
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IXFN39N90 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN39N90
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN39N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN39N90.pdf
RoHS Status
vorrätig: 871

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Spezifikation

IXFN39N90 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN39N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN39N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 694W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN39  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN39N90.

Produkteigenschaften IXFN39N90 IXFN38N100Q2 IXFN38N100P IXFN36N60
Artikelnummer IXFN39N90 IXFN38N100Q2 IXFN38N100P IXFN36N60
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFN39 IXFN38 IXFN38 IXFN36
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 8mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 1000 V 1000 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 325 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Verlustleistung (max) 694W (Tc) 890W (Tc) 1000W (Tc) 520W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc) 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V 250mOhm @ 19A, 10V 210mOhm @ 19A, 10V 180mOhm @ 500mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube

IXFN39N90 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN39N90 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN39N90 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFN39N90.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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