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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN420N10T
IXYS
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IXFN420N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN420N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN420N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN420N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1677

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Spezifikation

IXFN420N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN420N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN420N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 1070W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 47000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 670 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 420A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN420  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN420N10T.

Produkteigenschaften IXFN420N10T IXFN38N80Q2 IXFN44N100Q3 IXFN44N50U2
Artikelnummer IXFN420N10T IXFN38N80Q2 IXFN44N100Q3 IXFN44N50U2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 47000 pF @ 25 V 8340 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Grundproduktnummer IXFN420 IXFN38 IXFN44 IXFN44
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V 220mOhm @ 500mA, 10V 220mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 670 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 264 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 420A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc) 44A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 6.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Verlustleistung (max) 1070W (Tc) 735W (Tc) 960W (Tc) 520W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 800 V 1000 V 500 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B

IXFN420N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN420N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN420N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN420N10T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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