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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN66N50Q2
IXYS
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IXFN66N50Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN66N50Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN66N50Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN66N50Q2.pdf
vorrätig: 3640

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Spezifikation

IXFN66N50Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN66N50Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN66N50Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 735W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 199 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN66  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN66N50Q2.

Produkteigenschaften IXFN66N50Q2 IXFN73N30 IXFN72N55Q2 IXFN70N120SK
Artikelnummer IXFN66N50Q2 IXFN73N30 IXFN72N55Q2 IXFN70N120SK
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V 72mOhm @ 500mA, 10V 34mOhm @ 50A, 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXFN66 IXFN73 IXFN72 IXFN70
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 2790 pF @ 1000 V
Verlustleistung (max) 735W (Tc) 500W (Tc) 890W (Tc) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc) 73A (Tc) 72A (Tc) 68A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 20V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V +20V, -5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 300 V 550 V 1200 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 199 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 258 nC @ 10 V 161 nC @ 20 V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class -

IXFN66N50Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN66N50Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN66N50Q2 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXF(K,N,R,X)66N50Q2 11/Oct/2011.pdf
Datenblätter
IXFN66N50Q2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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