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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN62N80Q3
IXYS
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IXFN62N80Q3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN62N80Q3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN62N80Q3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN62N80Q3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 870

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Spezifikation

IXFN62N80Q3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN62N80Q3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN62N80Q3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q3 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 31A, 10V  
Verlustleistung (max) 960W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN62  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN62N80Q3.

Produkteigenschaften IXFN62N80Q3 IXFN55N50 IXFN60N80P IXFN52N90P
Artikelnummer IXFN62N80Q3 IXFN55N50 IXFN60N80P IXFN52N90P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS Corporation
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Grundproduktnummer IXFN62 IXFN55 IXFN60 -
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar Polar™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 308nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Tc) 55A (Tc) 53A (Tc) 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 31A, 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 140mOhm @ 30A, 10V 160 mOhm @ 26A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 500 V 800 V 900V
Verlustleistung (max) 960W (Tc) 625W (Tc) 1040W (Tc) 890W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V 19000pF @ 25V
Paket Tube Tube Tube -

IXFN62N80Q3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN62N80Q3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN62N80Q3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN62N80Q3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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