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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN70N120SK
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN70N120SK - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN70N120SK
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN70N120SK
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN70N120SK.pdf
RoHS Status
vorrätig: 360

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Spezifikation

IXFN70N120SK Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN70N120SK Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN70N120SK

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 15mA  
Vgs (Max) +20V, -5V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 68A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN70N120SK.

Produkteigenschaften IXFN70N120SK IXFN60N60 IXFN70N60Q2 IXFN66N85X
Artikelnummer IXFN70N120SK IXFN60N60 IXFN70N60Q2 IXFN66N85X
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 600 V 600 V 850 V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Verlustleistung (max) - 700W (Tc) 890W (Tc) 830W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2790 pF @ 1000 V 15000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 20 V 380 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) +20V, -5V ±20V ±30V ±30V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 15mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA
Serie - HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Ultra X
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 68A (Tc) 60A (Tc) 70A (Tc) 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V 75mOhm @ 500mA, 10V 80mOhm @ 35A, 10V 65mOhm @ 33A, 10V
Grundproduktnummer IXFN70 IXFN60 IXFN70 IXFN66
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V

IXFN70N120SK Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN70N120SK PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN70N120SK - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN70N120SK.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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