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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR140N20P
IXFR140N20P Image
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IXFR140N20P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR140N20P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR140N20P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR140N20P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2459

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Spezifikation

IXFR140N20P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR140N20P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR140N20P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR140  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR140N20P.

Produkteigenschaften IXFR140N20P IXFR12N100Q IXFR100N25 IXFP8N85XM
Artikelnummer IXFR140N20P IXFR12N100Q IXFR100N25 IXFP8N85XM
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4V @ 8mA 5.5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 45A, 10V 1.1Ohm @ 6A, 10V 27mOhm @ 50A, 10V 850mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ TO-220 Isolated Tab
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 1000 V 250 V 850 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 250W (Tc) 400W (Tc) 33W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXFR140 IXFR12 IXFR100 IXFP8N85
Paket Box Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 10A (Tc) 87A (Tc) 8A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 654 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

IXFR140N20P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR140N20P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR140N20P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFR140N20P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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