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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR180N07
IXFR180N07 Image
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IXFR180N07 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR180N07
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR180N07
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR180N07.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

IXFR180N07 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR180N07 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR180N07

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 417W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 420 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 70 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR180N07.

Produkteigenschaften IXFR180N07 IXFR180N085 IXFR12N100Q IXFR24N100
Artikelnummer IXFR180N07 IXFR180N085 IXFR12N100Q IXFR24N100
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 10A (Tc) 22A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 500mA, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 1.1Ohm @ 6A, 10V 390mOhm @ 12A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 420 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 267 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXFR180 IXFR180 IXFR12 IXFR24
Verlustleistung (max) 417W (Tc) 400W (Tc) 250W (Tc) 416W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 4mA 5.5V @ 8mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 70 V 85 V 1000 V 1000 V

IXFR180N07 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR180N07 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR180N07 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFR180N07.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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