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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR21N100Q
IXFR21N100Q Image
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IXFR21N100Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR21N100Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR21N100Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR21N100Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4490

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Anzahl

Spezifikation

IXFR21N100Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR21N100Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR21N100Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 10.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 350W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR21N100Q.

Produkteigenschaften IXFR21N100Q IXFR26N50 IXFR27N80Q IXFR34N80
Artikelnummer IXFR21N100Q IXFR26N50 IXFR27N80Q IXFR34N80
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 10.5A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V 300mOhm @ 13.5A, 10V 240mOhm @ 17A, 10V
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 26A (Tc) 27A (Tc) 28A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5900 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 350W (Tc) 250W (Tc) 500W (Tc) 416W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 500 V 800 V 800 V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Grundproduktnummer IXFR21 IXFR26 IXFR27 IXFR34
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V

IXFR21N100Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR21N100Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR21N100Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFR21N100Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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