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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX64N60P3
IXFX64N60P3 Image
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IXFX64N60P3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX64N60P3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX64N60P3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXFK-FX64N60P3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3441

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Anzahl

Spezifikation

IXFX64N60P3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX64N60P3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX64N60P3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Polar3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 1130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX64  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX64N60P3.

Produkteigenschaften IXFX64N60P3 IXFX64N60P IXFX48N50Q IXFX80N50P
Artikelnummer IXFX64N60P3 IXFX64N60P IXFX48N50Q IXFX80N50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 32A, 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 24A, 10V 65mOhm @ 40A, 10V
Serie HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 1130W (Tc) 1040W (Tc) 500W (Tc) 1040W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9900 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA 5V @ 8mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 64A (Tc) 48A (Tc) 80A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 500 V 500 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXFX64 IXFX64 IXFX48 IXFX80
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant

IXFX64N60P3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX64N60P3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX64N60P3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFK-FX64N60P3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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