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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX52N60Q2
IXFX52N60Q2 Image
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IXFX52N60Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX52N60Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX52N60Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247-3
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXF(K,X)52N60Q2.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4750

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Spezifikation

IXFX52N60Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX52N60Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX52N60Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 735W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX52  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX52N60Q2.

Produkteigenschaften IXFX52N60Q2 IXFX64N60P IXFX44N60 IXFX50N50
Artikelnummer IXFX52N60Q2 IXFX64N60P IXFX44N60 IXFX50N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS Corporation IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 330nC @ 10V 330 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXFX52 IXFX64 - IXFX50
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 500mA, 10V 96mOhm @ 500mA, 10V 130 mOhm @ 22A, 10V 100mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max) 735W (Tc) 1040W (Tc) 560W (Tc) 520W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-247-3 Variant
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc) 64A (Tc) 44A (Tc) 50A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 8900pF @ 25V 9400 pF @ 25 V
Paket Tube Tube - Tube
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™

IXFX52N60Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX52N60Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX52N60Q2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)52N60Q2.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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