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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFX73N30Q
IXFX73N30Q Image
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IXFX73N30Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFX73N30Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFX73N30Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXF(K,X)73N30Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4710

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Anzahl

Spezifikation

IXFX73N30Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFX73N30Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFX73N30Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 73A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFX73  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFX73N30Q.

Produkteigenschaften IXFX73N30Q IXFX60N55Q2 IXFX90N60X IXFX80N50Q3
Artikelnummer IXFX73N30Q IXFX60N55Q2 IXFX90N60X IXFX80N50Q3
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 550 V 600 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 8500 pF @ 25 V 10000 pF @ 25 V
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Q3 Class
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 735W (Tc) 1100W (Tc) 1250W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 6.5V @ 8mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 73A (Tc) 60A (Tc) 90A (Tc) 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXFX73 IXFX60 IXFX90 IXFX80
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V 88mOhm @ 30A, 10V 38mOhm @ 45A, 10V 65mOhm @ 40A, 10V

IXFX73N30Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFX73N30Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFX73N30Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)73N30Q.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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