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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFT32N50
IXFT32N50 Image
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IXFT32N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFT32N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFT32N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Datenblatt
IXFT32N50.pdf
vorrätig: 5240

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Spezifikation

IXFT32N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFT32N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFT32N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFT32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFT32N50.

Produkteigenschaften IXFT32N50 IXFT88N30P IXFR66N50Q2 IXFT44N50P
Artikelnummer IXFT32N50 IXFT88N30P IXFR66N50Q2 IXFT44N50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFT32 IXFT88 IXFR66 IXFT44
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 9125 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 85mOhm @ 33A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-268AA TO-268AA ISOPLUS247™ TO-268AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Tc) 88A (Tc) 50A (Tc) 44A (Tc)
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 600W (Tc) 500W (Tc) 658W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 300 V 500 V 500 V

IXFT32N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFT32N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFT32N50 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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