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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA3N50D2
IXTA3N50D2 Image
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IXTA3N50D2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA3N50D2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA3N50D2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(A,P)3N50D2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17525

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Anzahl

Spezifikation

IXTA3N50D2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA3N50D2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA3N50D2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie Depletion  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 0V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA3N50D2.

Produkteigenschaften IXTA3N50D2 IXTA44P15T IXTA48P05T IXTA60N20T
Artikelnummer IXTA3N50D2 IXTA44P15T IXTA48P05T IXTA60N20T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 150 V 50 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 0V 65mOhm @ 22A, 10V 30mOhm @ 24A, 10V 40mOhm @ 30A, 10V
Grundproduktnummer IXTA3 IXTA44 IXTA48 IXTA60
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Depletion TrenchP™ TrenchP™ Trench
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 5 V 175 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 298W (Tc) 150W (Tc) 500W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 44A (Tc) 48A (Tc) 60A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V 13400 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V
FET-Merkmal Depletion Mode - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±15V ±15V ±20V

IXTA3N50D2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA3N50D2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA3N50D2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)3N50D2.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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