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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA60N20T
IXTA60N20T Image
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IXTA60N20T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA60N20T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA60N20T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(A,P,Q)60N20T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9214

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Spezifikation

IXTA60N20T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA60N20T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA60N20T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4530 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA60N20T.

Produkteigenschaften IXTA60N20T IXTA80N10T IXTA6N50D2 IXTA50N25T
Artikelnummer IXTA60N20T IXTA80N10T IXTA6N50D2 IXTA50N25T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 96 nC @ 5 V 78 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 500 V 250 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Trench Trench Depletion Trench
FET-Merkmal - - Depletion Mode -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4530 pF @ 25 V 3040 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA - 5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 25A, 10V 500mOhm @ 3A, 0V 50mOhm @ 25A, 10V
Grundproduktnummer IXTA60 IXTA80 IXTA6 IXTA50
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 400W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 80A (Tc) 6A (Tc) 50A (Tc)

IXTA60N20T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA60N20T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA60N20T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P,Q)60N20T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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