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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA50N25T
IXTA50N25T Image
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IXTA50N25T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA50N25T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA50N25T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 50A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10889

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Spezifikation

IXTA50N25T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA50N25T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA50N25T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 400W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA50N25T.

Produkteigenschaften IXTA50N25T IXTA3N150HV IXTA76N075T IXTA3N120-TRL
Artikelnummer IXTA50N25T IXTA3N150HV IXTA76N075T IXTA3N120-TRL
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 1375 pF @ 25 V 2580 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 3A (Tc) 76A (Tc) 3A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V 7.3Ohm @ 1.5A, 10V 12mOhm @ 25A, 10V 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 1500 V 75 V 1200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Trench - TrenchMV™ -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 38.6 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXTA50 IXTA3 IXTA76 IXTA3
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 400W (Tc) 250W (Tc) 176W (Tc) 200W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 250µA 4V @ 50µA 5V @ 250µA

IXTA50N25T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA50N25T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA50N25T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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