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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA80N10T
IXTA80N10T Image
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IXTA80N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA80N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA80N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(A,P)80N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19018

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Anzahl

Spezifikation

IXTA80N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA80N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA80N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3040 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA80N10T.

Produkteigenschaften IXTA80N10T IXTA86N20T IXTA96P085T IXTA60N20T
Artikelnummer IXTA80N10T IXTA86N20T IXTA96P085T IXTA60N20T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 86A (Tc) 96A (Tc) 60A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
FET-Merkmal - - - -
Serie Trench Trench TrenchP™ Trench
Vgs (Max) ±20V ±30V ±15V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3040 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Grundproduktnummer IXTA80 IXTA86 IXTA96 IXTA60
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 1mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 85 V 200 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 480W (Tc) 298W (Tc) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 25A, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V 13mOhm @ 48A, 10V 40mOhm @ 30A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXTA80N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA80N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA80N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)80N10T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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