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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTB30N100L
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTB30N100L - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTB30N100L
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTB30N100L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXTB30N100L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 803

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Spezifikation

IXTB30N100L Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTB30N100L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTB30N100L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™  
Serie Linear  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 20V  
Verlustleistung (max) 800W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 545 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTB30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTB30N100L.

Produkteigenschaften IXTB30N100L IXTB62N50L IXTA76N075T IXTH102N20T
Artikelnummer IXTB30N100L IXTB62N50L IXTA76N075T IXTH102N20T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Linear Linear TrenchMV™ Trench
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 20V 100mOhm @ 31A, 20V 12mOhm @ 25A, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 500 V 75 V 200 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 50µA 4.5V @ 1mA
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 800W (Tc) 800W (Tc) 176W (Tc) 750W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 62A (Tc) 76A (Tc) 102A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXTB30 IXTB62 IXTA76 IXTH102
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 545 nC @ 20 V 550 nC @ 20 V 57 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V 2580 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA TO-247 (IXTH)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 20V 10V 10V

IXTB30N100L Datenblatt PDF

Laden Sie IXTB30N100L PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTB30N100L - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTB30N100L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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