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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH04N300P3HV
IXTH04N300P3HV Image
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IXTH04N300P3HV - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH04N300P3HV
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH04N300P3HV
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXTH04N300P3HV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1908

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Anzahl

Spezifikation

IXTH04N300P3HV Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH04N300P3HV Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH04N300P3HV

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247HV  
Serie Polar P3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190Ohm @ 200mA, 10V  
Verlustleistung (max) 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 283 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 3000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH04N300P3HV.

Produkteigenschaften IXTH04N300P3HV IXTH102N20T IXTB62N50L IXTA86N20T
Artikelnummer IXTH04N300P3HV IXTH102N20T IXTB62N50L IXTA86N20T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 104W (Tc) 750W (Tc) 800W (Tc) 480W (Tc)
Grundproduktnummer IXTH04 IXTH102 IXTB62 IXTA86
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 400mA (Tc) 102A (Tc) 62A (Tc) 86A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-247HV TO-247 (IXTH) PLUS264™ TO-263AA
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 1mA 5.5V @ 250µA 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 550 nC @ 20 V 90 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie Polar P3™ Trench Linear Trench
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 283 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 3000 V 200 V 500 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190Ohm @ 200mA, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 31A, 20V 29mOhm @ 500mA, 10V

IXTH04N300P3HV Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH04N300P3HV PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH04N300P3HV - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTH04N300P3HV.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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