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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH130N15T
IXTH130N15T Image
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IXTH130N15T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH130N15T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH130N15T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,Q)130N15T.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4280

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Spezifikation

IXTH130N15T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH130N15T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH130N15T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 65A, 10V  
Verlustleistung (max) 750W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH130  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH130N15T.

Produkteigenschaften IXTH130N15T IXTH14N100 IXTH150N17T IXTH130N10T
Artikelnummer IXTH130N15T IXTH14N100 IXTH150N17T IXTH130N10T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 65A, 10V 820mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie Trench MegaMOS™ TrenchHV™ Trench
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9800 pF @ 25 V 5650 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 14A (Tc) 150A (Tc) 130A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXTH130 IXTH14 IXTH150 IXTH130
Verlustleistung (max) 750W (Tc) 360W (Tc) 830W (Tc) 360W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 1000 V 175 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA 4.5V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTH130N15T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH130N15T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH130N15T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(H,Q)130N15T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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