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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH150N17T
IXTH150N17T Image
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IXTH150N17T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH150N17T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH150N17T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 175V 150A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTH150N17T.pdf
vorrätig: 5230

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Spezifikation

IXTH150N17T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH150N17T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH150N17T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie TrenchHV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 830W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 175 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH150N17T.

Produkteigenschaften IXTH150N17T IXTH130N10T IXTH160N10T IXTH13N80
Artikelnummer IXTH150N17T IXTH130N10T IXTH160N10T IXTH13N80
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 175 V 100 V 100 V 800 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IXTH150 IXTH130 IXTH160 IXTH13
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 75A, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 800mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 132 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 830W (Tc) 360W (Tc) 430W (Tc) 300W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9800 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc) 130A (Tc) 160A (Tc) 13A (Tc)
Serie TrenchHV™ Trench Trench MegaMOS™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXTH150N17T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH150N17T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH150N17T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTH150N17T.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
170V/180V Mosfet 27/Sept/2012.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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