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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH12N120
IXTH12N120 Image
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IXTH12N120 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH12N120
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH12N120
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTH12N120.pdf
vorrätig: 4660

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Spezifikation

IXTH12N120 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH12N120 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH12N120

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH12N120.

Produkteigenschaften IXTH12N120 IXTH130N20T IXTH11P50 IXTH110N10L2
Artikelnummer IXTH12N120 IXTH130N20T IXTH11P50 IXTH110N10L2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 130A (Tc) 11A (Tc) 110A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V
Serie - Trench - Linear L2™
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 830W (Tc) 300W (Tc) 600W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 6A, 10V 16mOhm @ 500mA, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Paket Box Tube Tube Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer IXTH12 IXTH130 IXTH11 IXTH110
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 1mA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 200 V 500 V 100 V

IXTH12N120 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH12N120 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH12N120 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTH12N120.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXTH12N120 Device 28/Aug/2013.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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