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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH6N80A
IXTH6N80A Image
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IXTH6N80A - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH6N80A
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH6N80A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,M)6N80(A).pdf
RoHS Status
vorrätig: 5070

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Anzahl

Spezifikation

IXTH6N80A Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH6N80A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH6N80A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH6N80A.

Produkteigenschaften IXTH6N80A IXTH6N90 IXTH72N20 IXTH76N25T
Artikelnummer IXTH6N80A IXTH6N90 IXTH72N20 IXTH76N25T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V 1.8Ohm @ 500mA, 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 39mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Grundproduktnummer IXTH6 IXTH6 IXTH72 IXTH76
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 180W (Tc) 400W (Tc) 460W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 1mA
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 900 V 200 V 250 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 6A (Tc) 72A (Tc) 76A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Serie - - - Trench

IXTH6N80A Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH6N80A PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH6N80A - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(H,M)6N80(A).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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