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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH52N65X
IXTH52N65X Image
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IXTH52N65X - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH52N65X
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH52N65X
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTH52N65X.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4517

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Anzahl

Spezifikation

IXTH52N65X Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH52N65X Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH52N65X

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Ultra X  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 26A, 10V  
Verlustleistung (max) 660W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH52  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH52N65X.

Produkteigenschaften IXTH52N65X IXTH50N30 IXTH60N15 IXTH6N80A
Artikelnummer IXTH52N65X IXTH50N30 IXTH60N15 IXTH6N80A
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 660W (Tc) 400W (Tc) 275W (Tc) 180W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4350 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 52A (Tc) 50A (Tc) 60A (Tc) 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 26A, 10V 65mOhm @ 25A, 10V 33mOhm @ 15A, 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V
Serie Ultra X - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer IXTH52 IXTH50 IXTH60 IXTH6
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 300 V 150 V 800 V

IXTH52N65X Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH52N65X PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH52N65X - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTH52N65X.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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