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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH6N90A
IXTH6N90A Image
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IXTH6N90A - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH6N90A
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH6N90A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 6A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,M)6N90(A).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4160

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Anzahl

Spezifikation

IXTH6N90A Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH6N90A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH6N90A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 180W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH6N90A.

Produkteigenschaften IXTH6N90A IXTH76P10T IXTH52N65X IXTH80N65X2
Artikelnummer IXTH6N90A IXTH76P10T IXTH52N65X IXTH80N65X2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 76A (Tc) 52A (Tc) 80A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±15V ±30V ±30V
Serie - TrenchP™ Ultra X Ultra X2
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 180W (Tc) 298W (Tc) 660W (Tc) 890W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 100 V 650 V 650 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V 25mOhm @ 38A, 10V 68mOhm @ 26A, 10V 40mOhm @ 40A, 10V
Grundproduktnummer IXTH6 IXTH76 IXTH52 IXTH80
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 13700 pF @ 25 V 4350 pF @ 25 V 7753 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 144 nC @ 10 V

IXTH6N90A Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH6N90A PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH6N90A - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(H,M)6N90(A).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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