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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP130N10T
IXTP130N10T Image
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IXTP130N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP130N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP130N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXTA130N10T, IXTP130N10T.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 16860

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Spezifikation

IXTP130N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP130N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP130N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP130  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP130N10T.

Produkteigenschaften IXTP130N10T IXTP152N085T IXTP160N04T2 IXTP12N50PM
Artikelnummer IXTP130N10T IXTP152N085T IXTP160N04T2 IXTP12N50PM
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Trench TrenchMV™ TrenchT2™ Polar
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXTP130 IXTP152 IXTP160 IXTP12
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 85 V 40 V 500 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 5mOhm @ 50A, 10V 500mOhm @ 6A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 79 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 360W (Tc) 250W (Tc) 50W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 4640 pF @ 25 V 1830 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 130A (Tc) 152A (Tc) 160A (Tc) 6A (Tc)

IXTP130N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP130N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP130N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTA130N10T, IXTP130N10T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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