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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP16N50P
IXTP16N50P Image
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IXTP16N50P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP16N50P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP16N50P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P,Q) 16N50P.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 15912

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Spezifikation

IXTP16N50P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP16N50P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP16N50P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 8A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP16  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP16N50P.

Produkteigenschaften IXTP16N50P IXTP1R6N100D2 IXTP14N60PM IXTP180N085T
Artikelnummer IXTP16N50P IXTP1R6N100D2 IXTP14N60PM IXTP180N085T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3
Grundproduktnummer IXTP16 IXTP1 IXTP14 IXTP180
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 100W (Tc) 75W (Tc) 430W (Tc)
Serie Polar Depletion Polar TrenchMV™
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - Depletion Mode - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 1000 V 600 V 85 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V 645 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA - 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 27 nC @ 5 V 36 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220 Isolated Tab TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 8A, 10V 10Ohm @ 800mA, 0V 550mOhm @ 7A, 10V 5.5mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 1.6A (Tc) 7A (Tc) 180A (Tc)

IXTP16N50P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP16N50P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP16N50P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P,Q) 16N50P.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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32D-IXTP16N50P

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