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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP160N10T
IXTP160N10T Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTP160N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP160N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP160N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)160N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 19553

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Spezifikation

IXTP160N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP160N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP160N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 430W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP160  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP160N10T.

Produkteigenschaften IXTP160N10T IXTP16N50P IXTP152N085T IXTP14N60PM
Artikelnummer IXTP160N10T IXTP16N50P IXTP152N085T IXTP14N60PM
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 16A (Tc) 152A (Tc) 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V 400mOhm @ 8A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 550mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220 Isolated Tab
Serie Trench Polar TrenchMV™ Polar
Verlustleistung (max) 430W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc) 75W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXTP160 IXTP16 IXTP152 IXTP14
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 500 V 85 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA

IXTP160N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP160N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP160N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)160N10T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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