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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP76N075T
IXTP76N075T Image
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IXTP76N075T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP76N075T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP76N075T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)76N075T.pdf
vorrätig: 4470

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Spezifikation

IXTP76N075T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP76N075T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP76N075T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie TrenchMV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 176W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2580 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP76  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP76N075T.

Produkteigenschaften IXTP76N075T IXTP88N085T IXTP60N10T IXTP76P10T
Artikelnummer IXTP76N075T IXTP88N085T IXTP60N10T IXTP76P10T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 85 V 100 V 100 V
Serie TrenchMV™ TrenchMV™ Trench TrenchP™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 4V @ 100µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc) 88A (Tc) 60A (Tc) 76A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 25A, 10V 11mOhm @ 25A, 10V 18mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 38A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXTP76 IXTP88 IXTP60 IXTP76
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2580 pF @ 25 V 3140 pF @ 25 V 2650 pF @ 25 V 13700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 176W (Tc) 230W (Tc) 176W (Tc) 298W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

IXTP76N075T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP76N075T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP76N075T - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Datenblätter
IXT(A,P)76N075T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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