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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP8N50P
IXTP8N50P Image
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IXTP8N50P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP8N50P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP8N50P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)8N50P.pdf
vorrätig: 5050

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Anzahl

Spezifikation

IXTP8N50P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP8N50P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP8N50P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PolarHV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP8N50P.

Produkteigenschaften IXTP8N50P IXTQ130N10T IXTP75N10P IXTQ120N20P
Artikelnummer IXTP8N50P IXTQ130N10T IXTP75N10P IXTQ120N20P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 130A (Tc) 75A (Tc) 120A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-3P TO-220-3 TO-3P
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc) 714W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 100 V 200 V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie PolarHV™ Trench Polar Polar
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 500mA, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IXTP8 IXTQ130 IXTP75 IXTQ120
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXTP8N50P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP8N50P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP8N50P - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mule Devices EOL 21/Mar/2018.pdf
Datenblätter
IXT(A,P)8N50P.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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