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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP88N085T
IXTP88N085T Image
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IXTP88N085T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP88N085T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP88N085T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 85V 88A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)88N085T.pdf
vorrätig: 5260

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Spezifikation

IXTP88N085T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP88N085T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP88N085T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie TrenchMV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3140 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 88A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP88  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP88N085T.

Produkteigenschaften IXTP88N085T IXTP80N12T2 IXTP64N055T IXTQ130N10T
Artikelnummer IXTP88N085T IXTP80N12T2 IXTP64N055T IXTQ130N10T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 25µA 4.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 325W (Tc) 130W (Tc) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220 TO-220-3 TO-3P
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3140 pF @ 25 V 4740 pF @ 25 V 1420 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer IXTP88 IXTP80 IXTP64 IXTQ130
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V 120 V 55 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 88A (Tc) 80A (Tc) 64A (Tc) 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 25A, 10V 17mOhm @ 40A, 10V 13mOhm @ 500mA, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V
Serie TrenchMV™ TrenchT2™ TrenchMV™ Trench
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V

IXTP88N085T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP88N085T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP88N085T - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Datenblätter
IXT(A,P)88N085T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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