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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ150N15P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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IXTQ150N15P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ150N15P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ150N15P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXT(K,Q)150N15P.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3803

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Spezifikation

IXTQ150N15P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ150N15P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ150N15P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 714W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ150  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ150N15P.

Produkteigenschaften IXTQ150N15P IXTQ200N10T IXTQ16N50P IXTQ182N055T
Artikelnummer IXTQ150N15P IXTQ200N10T IXTQ16N50P IXTQ182N055T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc) 200A (Tc) 16A (Tc) 182A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 500 V 55 V
Serie Polar Trench Polar TrenchMV™
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXTQ150 IXTQ200 IXTQ16 IXTQ182
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 4850 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 714W (Tc) 550W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 500mA, 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V 400mOhm @ 8A, 10V 5mOhm @ 25A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTQ150N15P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ150N15P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ150N15P - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXT(K,Q)150N15P.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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