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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ110N10P
IXYS
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IXTQ110N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ110N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ110N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 110A TO3P
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXT(Q,T)110N10P.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 8063

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Spezifikation

IXTQ110N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ110N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ110N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 480W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ110  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ110N10P.

Produkteigenschaften IXTQ110N10P IXTQ130N10T IXTQ120N20P IXTP86N20T
Artikelnummer IXTQ110N10P IXTQ130N10T IXTQ120N20P IXTP86N20T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 29mOhm @ 500mA, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 110A (Tc) 130A (Tc) 120A (Tc) 86A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 200 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-220-3
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie Polar Trench Polar Trench
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3550 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 480W (Tc) 360W (Tc) 714W (Tc) 480W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Grundproduktnummer IXTQ110 IXTQ130 IXTQ120 IXTP86

IXTQ110N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ110N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ110N10P - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXT(Q,T)110N10P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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