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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ120N20P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTQ120N20P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ120N20P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ120N20P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXT(K,Q)120N20P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3906

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Spezifikation

IXTQ120N20P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ120N20P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ120N20P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 714W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ120N20P.

Produkteigenschaften IXTQ120N20P IXTP88N085T IXTQ180N055T IXTQ110N055P
Artikelnummer IXTQ120N20P IXTP88N085T IXTQ180N055T IXTQ110N055P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 1mA 5.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 88A (Tc) 180A (Tc) 110A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Verlustleistung (max) 714W (Tc) 230W (Tc) - 390W (Tc)
Serie Polar TrenchMV™ - Polar
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 3140 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V 2210 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-220-3 TO-3P TO-3P
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Grundproduktnummer IXTQ120 IXTP88 - IXTQ110
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 25A, 10V 4mOhm @ 50A, 10V 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 85 V 55 V 55 V

IXTQ120N20P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ120N20P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ120N20P - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXT(K,Q)120N20P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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