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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ50N20P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTQ50N20P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ50N20P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ50N20P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXT(A,P,Q)50N20P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14200

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Anzahl

Spezifikation

IXTQ50N20P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ50N20P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ50N20P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ50N20P.

Produkteigenschaften IXTQ50N20P IXTQ60N10T IXTQ460P2 IXTQ480P2
Artikelnummer IXTQ50N20P IXTQ60N10T IXTQ460P2 IXTQ480P2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Polar Trench PolarP2™ PolarP2™
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Grundproduktnummer IXTQ50 IXTQ60 IXTQ460 IXTQ480
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 60A (Tc) 24A (Tc) 52A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 500 V 500 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2720 pF @ 25 V 2650 pF @ 25 V 2890 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 50A, 10V 18mOhm @ 25A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 120mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 176W (Tc) 480W (Tc) 960W (Tc)
FET-Merkmal - - - -

IXTQ50N20P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ50N20P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ50N20P - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXT(A,P,Q)50N20P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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