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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ62N15P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTQ62N15P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ62N15P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ62N15P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 62A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXT(A,P,Q)62N15P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4980

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Spezifikation

IXTQ62N15P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ62N15P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ62N15P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 31A, 10V  
Verlustleistung (max) 350W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ62  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ62N15P.

Produkteigenschaften IXTQ62N15P IXTQ60N20T IXTQ60N10T IXTQ72N20T
Artikelnummer IXTQ62N15P IXTQ60N20T IXTQ60N10T IXTQ72N20T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 350W (Tc) 500W (Ta) 176W (Tc) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V -
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V 2650 pF @ 25 V -
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 100 V 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V -
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXTQ62 IXTQ60 IXTQ60 IXTQ72
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 62A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 72A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Serie Polar Trench Trench Trench
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 31A, 10V 40mOhm @ 30A, 10V 18mOhm @ 25A, 10V -

IXTQ62N15P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ62N15P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ62N15P - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXT(A,P,Q)62N15P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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