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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ50N25T
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTQ50N25T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ50N25T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ50N25T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11572

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Anzahl

Spezifikation

IXTQ50N25T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ50N25T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ50N25T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 400W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ50N25T.

Produkteigenschaften IXTQ50N25T IXTQ460P2 IXTQ69N30P IXTQ480P2
Artikelnummer IXTQ50N25T IXTQ460P2 IXTQ69N30P IXTQ480P2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXTQ50 IXTQ460 IXTQ69 IXTQ480
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Trench PolarP2™ Polar PolarP2™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 24A (Tc) 69A (Tc) 52A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 500 V 300 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 108 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 49mOhm @ 500mA, 10V 120mOhm @ 26A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 400W (Tc) 480W (Tc) 500W (Tc) 960W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 2890 pF @ 25 V 4960 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V

IXTQ50N25T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ50N25T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ50N25T - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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