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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ75N10P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTQ75N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ75N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ75N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXT(A,P,Q)75N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13558

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Spezifikation

IXTQ75N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ75N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ75N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ75  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ75N10P.

Produkteigenschaften IXTQ75N10P IXTQ72N20T IXTQ60N20T IXTQ86N25T
Artikelnummer IXTQ75N10P IXTQ72N20T IXTQ60N20T IXTQ86N25T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 75A (Tc) 72A (Tc) 60A (Tc) 86A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 500mA, 10V - 40mOhm @ 30A, 10V 37mOhm @ 43A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA - 5V @ 250µA 5V @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 200 V 250 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V - 73 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V - 4530 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 360W (Tc) - 500W (Ta) 540W (Ta)
Serie Polar Trench Trench Trench
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Grundproduktnummer IXTQ75 IXTQ72 IXTQ60 IXTQ86

IXTQ75N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ75N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ75N10P - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Datenblätter
IXT(A,P,Q)75N10P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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