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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTQ80N28T
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTQ80N28T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTQ80N28T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTQ80N28T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 280V 80A TO3P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
IXTQ80N28T.pdf
vorrätig: 4600

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Anzahl

Spezifikation

IXTQ80N28T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTQ80N28T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTQ80N28T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3P  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 280 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTQ80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTQ80N28T.

Produkteigenschaften IXTQ80N28T IXTQ96N15P IXTQ86N25T IXTQ96N20P
Artikelnummer IXTQ80N28T IXTQ96N15P IXTQ86N25T IXTQ96N20P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXTQ80 IXTQ96 IXTQ86 IXTQ96
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 480W (Tc) 540W (Ta) 600W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 37mOhm @ 43A, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - Polar Trench Polar
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 250µA 5V @ 1mA 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 280 V 150 V 250 V 200 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 96A (Tc) 86A (Tc) 96A (Tc)

IXTQ80N28T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTQ80N28T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTQ80N28T - IXYS herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
170V/180V Mosfet 27/Sept/2012.pdf
Datenblätter
IXTQ80N28T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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