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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTV18N60PS
IXYS
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IXTV18N60PS - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTV18N60PS
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTV18N60PS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS-220SMD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
PLUS-220SMD
Datenblatt
IXTQ18N60P, IXTV18N60P/PS.pdf
vorrätig: 5090

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Spezifikation

IXTV18N60PS Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTV18N60PS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTV18N60PS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS-220SMD  
Serie PolarHV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse PLUS-220SMD  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTV18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTV18N60PS.

Produkteigenschaften IXTV18N60PS IXTU05N100 IXTX120N65X2 IXTY02N120P-TRL
Artikelnummer IXTV18N60PS IXTU05N100 IXTX120N65X2 IXTY02N120P-TRL
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 9A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 75Ohm @ 100mA, 10V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse PLUS-220SMD TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-247-3 Variant TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PolarHV™ - Ultra X2 Polar
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 1000 V 650 V 1200 V
Supplier Device-Gehäuse PLUS-220SMD TO-251AA PLUS247™-3 TO-252AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 40W (Tc) 1250W (Tc) 33W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 750mA (Tc) 120A (Tc) 200mA (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 8mA 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXTV18 IXTU05 IXTX120 IXTY02
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)

IXTV18N60PS Datenblatt PDF

Laden Sie IXTV18N60PS PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTV18N60PS - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTQ18N60P, IXTV18N60P/PS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 22/Feb/2013.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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