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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTX4N300P3HV
IXTX4N300P3HV Image
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IXTX4N300P3HV - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTX4N300P3HV
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTX4N300P3HV
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXTX4N300P3HV.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 664

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Spezifikation

IXTX4N300P3HV Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTX4N300P3HV Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTX4N300P3HV

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247PLUS-HV  
Serie Polar P3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5Ohm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 960W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 3000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTX4  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTX4N300P3HV.

Produkteigenschaften IXTX4N300P3HV IXTU05N100 IXTY02N120P-TRL IXTX8N150L
Artikelnummer IXTX4N300P3HV IXTU05N100 IXTY02N120P-TRL IXTX8N150L
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5Ohm @ 2A, 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 75Ohm @ 100mA, 10V 3.6Ohm @ 4A, 20V
Serie Polar P3™ - Polar Linear
Grundproduktnummer IXTX4 IXTU05 IXTY02 IXTX8
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 20V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 3000 V 1000 V 1200 V 1500 V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 100µA 8V @ 250µA
Verlustleistung (max) 960W (Tc) 40W (Tc) 33W (Tc) 700W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V 7.8 nC @ 10 V 4.7 nC @ 10 V 250 nC @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Tc) 750mA (Tc) 200mA (Tc) 8A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3680 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247PLUS-HV TO-251AA TO-252AA PLUS247™-3

IXTX4N300P3HV Datenblatt PDF

Laden Sie IXTX4N300P3HV PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTX4N300P3HV - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTX4N300P3HV.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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