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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTY08N50D2
IXTY08N50D2 Image
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IXTY08N50D2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTY08N50D2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTY08N50D2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IXT(Y,A,P)08N50D2.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 32187

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Spezifikation

IXTY08N50D2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTY08N50D2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTY08N50D2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie Depletion  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 312 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.7 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA (Tc)  
Grundproduktnummer IXTY08  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTY08N50D2.

Produkteigenschaften IXTY08N50D2 IXTY02N120P-TRL IXTY1R6N50D2 IXTY01N100
Artikelnummer IXTY08N50D2 IXTY02N120P-TRL IXTY1R6N50D2 IXTY01N100
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXTY08 IXTY02 IXTY1 IXTY01
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Depletion Polar Depletion -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 1200 V 500 V 1000 V
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 100µA - 4.5V @ 25µA
FET-Merkmal Depletion Mode - Depletion Mode -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 312 pF @ 25 V 104 pF @ 25 V 645 pF @ 25 V 54 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.7 nC @ 5 V 4.7 nC @ 10 V 23.7 nC @ 5 V 6.9 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - 10V - 10V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 33W (Tc) 100W (Tc) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V 75Ohm @ 100mA, 10V 2.3Ohm @ 800mA, 0V 80Ohm @ 100mA, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA (Tc) 200mA (Tc) 1.6A (Tc) 100mA (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTY08N50D2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTY08N50D2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTY08N50D2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(Y,A,P)08N50D2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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