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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTY44N10T
IXTY44N10T Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTY44N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTY44N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTY44N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 44A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IXT(P,Y)44N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37821

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Spezifikation

IXTY44N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTY44N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTY44N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1262 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTY44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTY44N10T.

Produkteigenschaften IXTY44N10T IXTY48P05T IXTY1N120P IXTY32P05T
Artikelnummer IXTY44N10T IXTY48P05T IXTY1N120P IXTY32P05T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Trench TrenchP™ Polar TrenchP™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1262 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V - 1975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V - 46 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 22A, 10V 30mOhm @ 24A, 10V - 39mOhm @ 16A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±15V - ±15V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Grundproduktnummer IXTY44 IXTY48 IXTY1 IXTY32
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc) 48A (Tc) 1A (Tc) 32A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA 4.5V @ 250µA - 4.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 150W (Tc) - 83W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 50 V 1200 V 50 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

IXTY44N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTY44N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTY44N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(P,Y)44N10T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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