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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTY64N055T
IXTY64N055T Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTY64N055T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTY64N055T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTY64N055T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 64A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IXT(P,Y)64N055T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3920

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Spezifikation

IXTY64N055T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTY64N055T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTY64N055T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie TrenchMV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTY64  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTY64N055T.

Produkteigenschaften IXTY64N055T IXTY08N100D2 IXTY3N60P IXTX8N150L
Artikelnummer IXTY64N055T IXTY08N100D2 IXTY3N60P IXTX8N150L
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-252AA PLUS247™-3
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3 Variant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 411 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 500mA, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V 2.9Ohm @ 500mA, 10V 3.6Ohm @ 4A, 20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 20V
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 60W (Tc) 70W (Tc) 700W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 1000 V 600 V 1500 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie TrenchMV™ Depletion PolarHV™ Linear
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 800mA (Tc) 3A (Tc) 8A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V 9.8 nC @ 10 V 250 nC @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - Depletion Mode - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA - 5.5V @ 50µA 8V @ 250µA
Grundproduktnummer IXTY64 IXTY08 IXTY3 IXTX8
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V

IXTY64N055T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTY64N055T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTY64N055T - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Datenblätter
IXT(P,Y)64N055T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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