Spezifikation
IXUN350N10 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXUN350N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXUN350N10
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
IXYS Corporation |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
4V @ 3mA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
SOT-227B |
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| Serie |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
2.5mOhm @ 175A, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
830W (Tc) |
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| Verpackung / Gehäuse |
SOT-227-4, miniBLOC |
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| Paket |
Tube |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Chassis Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
27000 pF @ 25 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
640 nC @ 10 V |
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| Typ FET |
N-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
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| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
100 V |
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| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
350A (Tc) |
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| Grundproduktnummer |
IXUN350 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
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DMP3026SFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
NTK3134NT1HTexas Instruments0.75A, 20V, N-CHANNEL MOSFET
FDPF12N50TFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMS004N08ConsemiMOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
IXUN280N10IXYSMOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
2N7002MTFonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3