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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXUC160N075
IXUC160N075 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXUC160N075 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXUC160N075
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXUC160N075
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOPLUS220™
Datenblatt
IXUC160N075.pdf
vorrätig: 4030

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Spezifikation

IXUC160N075 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXUC160N075 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXUC160N075

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS220™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS220™  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer IXUC160  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXUC160N075.

Produkteigenschaften IXUC160N075 VS-FA40SA50LC IXFH12N120P APT8015JVR
Artikelnummer IXUC160N075 VS-FA40SA50LC IXFH12N120P APT8015JVR
Hersteller IXYS Vishay General Semiconductor - Diodes Division IXYS Microchip Technology
Grundproduktnummer IXUC160 FA40 IXFH12 APT8015
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA 4V @ 250µA 6.5V @ 1mA 4V @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS220™ SOT-227 TO-247AD (IXFH) ISOTOP®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 543W (Tc) 543W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 420 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 285 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 100A, 10V 130mOhm @ 23A, 10V 1.35Ohm @ 500mA, 10V 150mOhm @ 500mA, 10V
Serie - - HiPerFET™, Polar POWER MOS V®
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS220™ SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 500 V 1200 V 800 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 40A (Tc) 12A (Tc) 44A (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -

IXUC160N075 Datenblatt PDF

Laden Sie IXUC160N075 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXUC160N075 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Datenblätter
IXUC160N075.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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